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J-GLOBAL ID：200902283557645695   整理番号：05A0486306

超薄ボディSOI MOSFETのしきい電圧変動に関するSOI厚みゆらぎの影響

Impact of SOI Thickness Fluctuation on Threshold Voltage Variation in Ultra-Thin Body SOI MOSFETs

著者 (4件)： TSUTSUI Gen (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SAITOH Masumi (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  NAGUMO Toshiharu (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  HIRAMOTO Toshiro (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： IEEE Transactions on Nanotechnology  (IEEE Transactions on Nanotechnology)
巻： 4  号： 3  ページ： 369-373  発行年： 2005年05月 
JST資料番号： W1355A  ISSN： 1536-125X  CODEN： ITNECU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MOSFETの寸法縮小が進み,短チャネル効果が大きな問題とな...

シソーラス用語： *MOSFET ,...
準シソーラス用語： 超薄ボディ ,...

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分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： ボディ ,  SOI ,  MOSFET ,  しきい電圧 ,  厚み ,  ゆらぎ