文献

J-GLOBAL ID：200902284494639424   整理番号：08A0265259

SiNO/SiC(0001)表面系における電子状態の理論的解析

著者 (7件)： 安藤康伸 (東大 大学院) ,  藤原弘康 (東大 大学院) ,  赤木和人 (東大 大学院) ,  常行真司 (東大 大学院) ,  常行真司 (東大 物性研) ,  白澤徹郎 (東大 物性研) ,  栃原浩 (九大 大学院総合理工学研究院)
資料名： 日本物理学会講演概要集  (日本物理学会年次大会講演概要集)
巻： 63  号： 1 第4分冊  ページ： 893  発行年： 2008年02月29日 
JST資料番号： S0671B  ISSN： 1342-8349  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *絶縁膜 ,  酸化ケイ素 ,  窒化ケイ素 ,  炭化ケイ素 ,  電子状態 ,  表面 ,  超薄膜 ,  *第一原理 ,  *バンド構造

分類 (1件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (4件)： SiC ,  電子状態 ,  理論 ,  解析