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J-GLOBAL ID:200902285309186067   整理番号:09A0995256

超音波によるB添加FZシリコンの原子空孔の電荷状態の研究

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著者 (10件):
資料名:
巻: 70th  号:ページ: 399  発行年: 2009年09月08日 
JST資料番号: Y0055A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
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分類 (3件):
分類
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半導体の格子欠陥  ,  固体の機械的性質一般  ,  半導体の結晶成長 
タイトルに関連する用語 (5件):
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