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J-GLOBAL ID：200902285549196183   整理番号：09A1174244

(110)シリコン-オン-インシュレータ上のシリコンナノワイヤnMOSFETにおける電子移動度の実験研究

Experimental Investigations of Electron Mobility in Silicon Nanowire nMOSFETs on (110) Silicon-on-Insulator

著者 (3件)： CHEN Jiezhi (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SARAYA Takura (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  HIRAMOTO Toshiro (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 30  号： 11  ページ： 1203-1205  発行年： 2009年11月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 移動度はデバイスの輸送特性で重要な役目を果たすが,製作と測定精度の難しさからナノワイヤの電荷移動度はまだ系統的に明らかにされていない。スプリット容量-電圧(C-V)法が輸送チャネルの真性移動度特性を抽出する正確で広く使われる方法である。新しいスプリット容量-電圧(C-V)法により,(100)SOI基板上の全周ゲートシリコンナノワイヤnMOSFETの電子移動度特性を調べた。[100]方向ナノワイヤの電子移動度はナノワイヤの幅が減少すると[100]方向ナノワイヤの移動度に近づくか,むしろ高くなる。結果として,(110)面基板上で[110]方向ナノワイヤを使うと(110)プレーナnMOSFETの移動度低下はある程度回復可能である。

シソーラス用語： キャリア移動度 ,  *MOSFET ,  *ナノワイヤ ,  容量電圧特性 ,  特性 ,  ケイ素 ,  SOI構造 ,  電流電圧特性 ,  結晶方位 ,  *電子移動度
準シソーラス用語： 輸送特性

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： シリコン-オン-インシュレータ ,  シリコンナノワイヤ ,  nMOSFET ,  電子移動度 ,  実験 ,  研究