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J-GLOBAL ID：200902286046091143   整理番号：03A0660010

STP法による絶縁膜形成後のMOSFET信頼性評価

著者 (7件)： 佐藤昇男 (NTT マイクロシステムインテグレーション研) ,  下山展弘 (NTT マイクロシステムインテグレーション研) ,  亀井敏和 (NTTアドバンステクノロジ) ,  工藤和久 (NTTアドバンステクノロジ) ,  矢野正樹 (NTTアドバンステクノロジ) ,  石井仁 (NTT マイクロシステムインテグレーション研) ,  町田克之 (NTT マイクロシステムインテグレーション研)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 64th  号： 2  ページ： 746  発行年： 2003年08月30日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *MOSFET ,...
準シソーラス用語： STP

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： STP ,  絶縁膜 ,  MOSFET ,  信頼性評価