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J-GLOBAL ID：200902286091540668   整理番号：09A1150606

GaN系半導体レーザにおける結晶欠陥

Structural Defects in GaN-based Laser Diodes

著者 (2件)： 冨谷茂隆 (ソニー 先端マテリアル研) ,  池田昌夫 (ソニー 先端マテリアル研)
資料名： 日本結晶成長学会誌  (Journal of the Japanese Association of Crystal Growth)
巻： 36  号： 3  ページ： 222-228  発行年： 2009年10月 
JST資料番号： F0452B  ISSN： 0385-6275  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： GaN系発光ダイオード(LD)の研究開発中に筆者らがエピタキシャル結晶において観察したさまざまな欠陥を透過型電子顕微鏡法により構造解析した結果を報告する。それらの欠陥は,エピタキシャル層/基板界面から発生する結晶欠陥である貫通転位,p型不純物ドーピング層における結晶欠陥であるピラミッド状欠陥,そしてGaN量子井戸層における結晶欠陥である。GaN系LDの信頼性向上のため貫通転位密度を低減する必要はあるものの,従来のLDに比べて,転位は素子寿命を決定する重要な要因ではないかとも考えられる。ピラミッド状欠陥は,Mg濃度が約4×10¹⁹/cm³程度から発生し,濃度が高くなるにつれて欠陥密度は増加するが,欠陥寸法は逆に小さくなった。GaInN多重量子井戸の成長においてIn組成を増加させるときに生じる結晶欠陥を記述した。

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *発光ダイオード ,  エピタクシー ,  *格子欠陥 ,  電子顕微鏡観察 ,  貫通転位 ,  不純物 ,  *量子井戸

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

引用文献 (42件)：

• 赤崎勇編著. III族窒化物半導体. 1999
• 高橋清監修. ワイドギャップ半導体 光・電子デバイス. 2006
• LESTER, S. D. Appl. Phys. Lett. 1995, 66, 1249
• NISHINAGA, T. Jpn. J. Appl. Phys. 1998, 27, L964
• NAM, O. H. Appl. Phys. Lett. 1997, 71, 2638

タイトルに関連する用語 (3件)： GaN ,  半導体レーザ ,  結晶欠陥