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J-GLOBAL ID：200902287387460844   整理番号：07A0679639

厚さが5nmのSOIを含む(100)超薄膜n-MOSFETにおける移動度のユニバーサリティーに関する実験的研究

Experimental Study on Mobility Universality in (100) Ultrathin Body nMOSFETs with SOI Thickness of 5 nm

著者 (3件)： SHIMIZU Ken (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  TSUTSUI Gen (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  HIRAMOTO Toshiro (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 46  号： 20-24  ページ： L480-L482  発行年： 2007年06月25日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： この論文では,厚さが30から5nmのシリコン-オン-インシュ...

シソーラス用語： SOI構造 ,...

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分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： SOI ,  超薄膜 ,  MOSFET ,  移動度 ,  実験的研究