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J-GLOBAL ID：200902287986598676   整理番号：09A0816890

VO₂極薄膜の電子状態

著者 (9件)： 佐伯邦成 (岡山大 大学院) ,  村岡祐治 (岡山大 大学院) ,  脇田高徳 (岡山大 大学院) ,  平井正明 (岡山大 大学院) ,  横谷尚睦 (岡山大 大学院) ,  江口律子 (理研) ,  辛埴 (理研) ,  仙波泰徳 (JASRI) ,  大橋治彦 (JASRI)
資料名： 応用物理学会中国四国支部・日本物理学会中国支部・四国支部・日本物理教育学会中国四国支部支部学術講演会講演予稿集  (日本物理学会中国支部・四国支部・応用物理学会中国四国支部・日本物理教育学会中国四国支部支部学術講演会講演予稿集)
巻： 2007  ページ： 24  発行年： 2007年 
JST資料番号： L5917A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *超薄膜 ,  *酸化バナジウム ,  *電子状態 ,  金属-絶縁体転移 ,  膜厚 ,  *光電子スペクトル ,  価電子バンド ,  レーザ蒸着 ,  YAGレーザ ,  基板 ,  酸化チタン ,  ルチル型結晶 ,  スペクトルシフト ,  パルスレーザ蒸着

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  電子分光スペクトル  (BM09060K)

タイトルに関連する用語 (3件)： VO2 ,  極薄膜 ,  電子状態