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J-GLOBAL ID：200902288714051062   整理番号：09A0996273

プラズマ処理によるSOG膜の熱処理後シュリンクの抑制メカニズム

著者 (14件)： 永田晃基 (明治大 理工) ,  小瀬村大亮 (明治大 理工) ,  武井宗久 (明治大 理工) ,  赤松弘彬 (明治大 理工) ,  服部真季 (明治大 理工) ,  小椋厚志 (明治大 理工) ,  小金澤智之 (高輝度光科学研究セ) ,  町田雅武 (高輝度光科学研究セ) ,  孫珍永 (高輝度光科学研究セ) ,  廣澤一郎 (高輝度光科学研究セ) ,  塩澤俊彦 (東京エレクトロンAT) ,  片山大介 (東京エレクトロンAT) ,  佐藤吉宏 (東京エレクトロンAT) ,  廣田良浩 (東京エレクトロンAT)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 70th  号： 2  ページ： 750  発行年： 2009年09月08日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *電気材料 ,  二酸化ケイ素 ,  絶縁膜 ,  焼なまし ,  *熱収縮 ,  プラズマ曝露 ,  ウエハ【IC】 ,  シリコンウエハ
準シソーラス用語： *SOG ,  シリコン基板

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： プラズマ処理 ,  SOG ,  熱処理 ,  シュリンク ,  メカニズム