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J-GLOBAL ID：200902290471856380   整理番号：09A0330559

自由層反磁場の部分的相殺によるスピントルク臨界電流の減少

Reduction of the spin-torque critical current by partially canceling the free layer demagnetization field

著者 (4件)： LIU Luqiao (Cornell Univ., Ithaca, New York 14853, USA) ,  MORIYAMA Takahiro (Cornell Univ., Ithaca, New York 14853, USA) ,  RALPH D. C. (Cornell Univ., Ithaca, New York 14853, USA) ,  BUHRMAN R. A. (Cornell Univ., Ithaca, New York 14853, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 94  号： 12  ページ： 122508  発行年： 2009年03月23日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： nmスケール面内磁化スピンバルブでの自由層について,スピントルクスイッチングの開始に対する臨界電流I_c0の有意な減少を,Co/Ni多層自由層の利用による真性反磁場の部分的相殺によって達成した。Co/Ni界面から生ずる面外磁気異方性は,自由層の熱安定性に有意な影響を及ぼさずに,有効反磁場(H_eff)を減少させた。ゼロ熱ゆらぎ臨界電流密度J_c0≒2×10⁶A/cm²を,電流ランプ速度測定およびナノ秒パルス測定によって決定した。また,大きいH_eff制御試料との比較で,この方法はI_c0の減少に非常に効果的であることを確認した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： MRAM ,  トルク ,  *多層 ,  *コバルト ,  *ニッケル ,  界面 ,  素子構造 ,  磁化特性 ,  磁気異方性 ,  臨界電流密度 ,  ナノ秒 ,  磁場 ,  *磁化反転 ,  *磁性薄膜 ,  熱安定性 ,  ゆらぎ ,  スピントルク ,  スピンバルブ ,  反磁場
準シソーラス用語： 自由層

分類 (2件)： 金属の磁区及び磁化過程  (BM06112D) ,  金属薄膜  (BK14030T)

タイトルに関連する用語 (5件)： 自由層 ,  反磁場 ,  相殺 ,  スピントルク ,  臨界電流