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J-GLOBAL ID：200902292265478282   整理番号：08A0942367

微小領域選択MOVPEにおけるSi上InGaAsのGa組成と結晶構造

著者 (9件)： 出浦桃子 (東大 大学院) ,  星井拓也 (東大 大学院) ,  山本剛久 (東大 大学院) ,  幾原雄一 (東大 大学院) ,  竹中充 (東大 大学院) ,  高木信一 (東大 大学院) ,  中野義昭 (東大 大学院) ,  中野義昭 (東大 先端科学技研セ) ,  杉山正和 (東大 大学院)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 69th  号： 1  ページ： 288  発行年： 2008年09月02日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 選択成長 ,  *結晶構造 ,  高分解能電子顕微鏡 ,  電子顕微鏡観察 ,  積層欠陥 ,  双晶 ,  化合物半導体 ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  半導体薄膜 ,  *化学組成 ,  HRTEM ,  シリコンウエハ ,  格子欠陥
準シソーラス用語： Si基板 ,  領域選択成長 ,  *OMVPE

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 微小領域 ,  MOVPE ,  Si ,  InGaAs ,  Ga ,  組成 ,  結晶構造