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J-GLOBAL ID：200902292294950454   整理番号：05A0336785

けい素の単一正孔の集積トランジスタを用いる電流スイッチング回路の室温動作

Room-Temperature Operation of Current Switching Circuit Using Integrated Silicon Single-Hole Transistors

著者 (3件)： SAITOH Masumi (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  HARATA Hidehiro (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  HIRAMOTO Toshiro (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 44  号： 8-11  ページ： L338-L341  発行年： 2005年03月10日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二つのけい素単一正孔の集積トランジスタを用いる初めての室温(...

シソーラス用語： *トランジスタ ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (18件)：

• 1) K. Uchida, J. Koga, R. Ohba and A. Toriumi: IEEE Trans. Electron Devices 50 (2003) 1623.
• 2) H. Namatsu, Y. Watanabe, K. Yamazaki, T. Yamaguchi, M. Nagase, Y. Ono, A. Fujiwara and S. Horiguchi: J. Vac. Sci. & Technol. B <B>21</B> (2003) 2869.
• 3) M. Saitoh and T. Hiramoto: IEEE Int. Electron Devices Meet. Tech. Dig. (2003) p. 753.
• 4) M. Saitoh and T. Hiramoto: Appl. Phys. Lett. 84 (2004) 3172.
• 5) A. Fujiwara, Y. Takahashi, K. Yamazaki, H. Namatsu, M. Nagase, K. Kurihara and K. Murase: IEEE Trans. Electron Devices 46 (1999) 954.

タイトルに関連する用語 (6件)： けい素 ,  正孔 ,  集積 ,  トランジスタ ,  電流スイッチング回路 ,  室温