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J-GLOBAL ID：200902292774863829   整理番号：09A0424954

InP表面の直接窒化によるMISFETの作製とその電気的評価

著者 (6件)： 灰本隆志 (東大 大学院新領域創成科学研究科) ,  中川翔太 (東大 大学院工学系研究科) ,  星井拓也 (東大 大学院工学系研究科) ,  竹中充 (東大 大学院工学系研究科) ,  高木信一 (東大 大学院新領域創成科学研究科) ,  高木信一 (東大 大学院工学系研究科)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 56th  号： 2  ページ： 908  発行年： 2009年03月30日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *リン化インジウム ,  化合物半導体 ,  イオン窒化 ,  *MISFET ,  二酸化ケイ素 ,  誘電体薄膜 ,  電子ビーム蒸着 ,  電流電圧特性 ,  自己整合 ,  改変
準シソーラス用語： プラズマ窒化

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： InP ,  窒化 ,  MISFET ,  作製 ,  評価