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J-GLOBAL ID：200902293872490433   整理番号：08A0942366

微小領域選択MOVPEにおけるSi上InGaAsの横方向成長過程

著者 (7件)： 出浦桃子 (東大 大学院) ,  星井拓也 (東大 大学院) ,  竹中充 (東大 大学院) ,  高木信一 (東大 大学院) ,  中野義昭 (東大 大学院) ,  中野義昭 (東大 先端科学技研セ) ,  杉山正和 (東大 大学院)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 69th  号： 1  ページ： 288  発行年： 2008年09月02日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *エピタクシー ,  X線回折 ,  走査電子顕微鏡 ,  電子顕微鏡観察 ,  化合物半導体 ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  半導体薄膜 ,  *横方向成長 ,  シリコンウエハ
準シソーラス用語： Si基板 ,  領域選択成長 ,  *OMVPE

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 微小領域 ,  MOVPE ,  Si ,  InGaAs ,  横方向 ,  成長過程