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J-GLOBAL ID：200902295384479229   整理番号：09A0214466

ナノ規模MOSFETのゲート端部揺らぎで誘導した不規則な閾値電圧変動

Random Threshold Voltage Variability Induced by Gate-Edge Fluctuations in Nanoscale Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors

著者 (5件)： PUTRA Arifin Tamsir (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  NISHIDA Akio (MIRAI-Selete, Ibaraki, JPN) ,  KAMOHARA Shiro (MIRAI-Selete, Ibaraki, JPN) ,  HIRAMOTO Toshiro (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  HIRAMOTO Toshiro (MIRAI-Selete, Ibaraki, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 2  号： 2  ページ： 024501.1-024501.3  発行年： 2009年02月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MOSFETの閾値電圧変動に及ぼすゲート端部揺らぎの影響を推定するための超高速法を提案した。ゲート線幅粗さからの相関幅が重要なパラメータである実験モデルを開発した。モデルの妥当性を測定データ及び自己回帰モデルを用いて確認した。走査電子顕微鏡画像のゲートラインエッジ形状から相関幅を求めた。本方法は閾値電圧変動に及ぼすゲート端部揺らぎの影響を直感的に理解するのに非常に有用である。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ゲート【半導体】 ,  MOSFET ,  ゆらぎ ,  *電圧 ,  *表面粗さ ,  自己回帰モデル ,  回路パターン形成 ,  *閾値電圧
準シソーラス用語： 線幅粗さ ,  *ラインエッジ粗さ

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (10件)：

• LINTON, T. IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop, 1999. 1999, 28
• CROON, J. A. IEDM Tech. Dig., 2002. 2002, 307
• ASENOV, A. IEEE Trans. Electron Devices. 2003, 50, 1254
• HANE, M. IEDM Tech. Dig., 2003. 2003, 241
• OLDIGES, P. Int. Conf. Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), 2000. 2000, 131

タイトルに関連する用語 (6件)： 規模 ,  MOSFET ,  ゲート ,  揺らぎ ,  誘導 ,  閾値電圧