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J-GLOBAL ID：200902295602466215   整理番号：09A1004345

パルスレーザーメルティング法での過飽和ドープに対するパルス幅の影響のシミュレーション

著者 (6件)： 中川将 (甲南大 理工) ,  杉村陽 (甲南大 理工) ,  杉村陽 (甲南大 量子ナノテク研) ,  梅津郁朗 (甲南大 理工) ,  梅津郁朗 (甲南大 量子ナノテク研) ,  AZIZ Michael J. (Harvard Univ.)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 70th  号： 3  ページ： 1320  発行年： 2009年09月08日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *レーザ融解 ,  パルス幅 ,  *過飽和 ,  *ドーピング ,  計算機シミュレーション ,  イオン注入 ,  YAGレーザ ,  エキシマレーザ ,  沸点 ,  ケイ素 ,  *パルスレーザ照射 ,  *再結晶 ,  半導体薄膜 ,  伝導伝熱 ,  計算機利用 ,  利用 ,  輸送現象
準シソーラス用語： 熱伝導 ,  レーザフルエンス

分類 (3件)： レーザ照射・損傷  (BK16040S) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 過飽和 ,  ドープ ,  パルス幅 ,  シミュレーション