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J-GLOBAL ID：200902296477945471   整理番号：05A0626043

超薄ボディ構造を持った二重ゲートシリコンナノ結晶メモリにおける電荷貯蔵性能の増大

Enhancement of Charge Storage Performance in Double-Gate Silicon Nanocrystal Memories With Ultrathin Body Structure

著者 (3件)： YANAGIDAIRA Kosuke (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SAITOH Masumi (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  HIRAMOTO Toshiro (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 26  号： 7  ページ： 473-475  発行年： 2005年07月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 超薄ボディ構造を持った二重ゲートシリコンナノ結晶メモリ(NC...

シソーラス用語： *不揮発性メモリ ,...

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分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： ボディ ,  二重ゲート ,  シリコンナノ結晶 ,  電荷貯蔵