PLAで作製されたシリコンナノ結晶の凝集過程とバンドギャップに対する水素バックグラウンドガスの効果

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J-GLOBAL ID：200902296782956360 整理番号：06A0268232

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巻： 53rd 号： 3 ページ： 1203 発行年： 2006年03月22日
JST資料番号： Y0054A 資料種別：会議録 (C)
記事区分：短報発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

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半導体薄膜 , 半導体結晶の電子構造

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