高移動度シリコンチャネルを有する縦型MISFET半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：宮崎昭夫 , 石橋政幸 , 緒方雅昭
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2004005145
公開番号（公開出願番号）：WO2004-090992
出願日： 2004年04月09日
公開日（公表日）： 2004年10月21日
要約：

半導体基板上の絶縁層より突出した箱形半導体領域の少なくとも側面をチャネル領域として用いる縦型MIS型電界効果トランジスタのチャネル領域に、熱膨張係数差による引張り歪みの導入、または格子緩和シリコン・ゲルマニウムの表面にシリコン膜を形成することで、引っ張り応力を印加し、チャネル領域の移動度を向上させる。

請求項（抜粋）：

半導体基板平面より突出した箱形半導体領域の少なくとも側面をチャネル領域として用いる縦型MIS型電界効果トランジスタを備えた半導体装置において、前記箱形半導体領域とその下部に存在する埋め込み絶縁膜との熱膨張係数差、および前記箱形半導体領域と層間絶縁膜との熱膨張係数差の少なくとも一方により、前記箱形半導体領域に引っ張り応力が印加されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/786 , H01L 29/78

FI (8件)：

H01L29/78 618C , H01L29/78 620 , H01L29/78 618E , H01L29/78 618B , H01L29/78 617K , H01L29/78 301X , H01L29/78 301B , H01L29/78 301H

Fターム (101件)：

5F110AA01 , 5F110CC02 , 5F110DD05 , 5F110DD11 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110EE05 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE30 , 5F110EE32 , 5F110EE38 , 5F110EE41 , 5F110EE45 , 5F110EE48 , 5F110FF02 , 5F110FF04 , 5F110FF23 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG12 , 5F110GG17 , 5F110GG19 , 5F110GG25 , 5F110GG32 , 5F110GG37 , 5F110GG44 , 5F110GG52 , 5F110GG57 , 5F110GG58 , 5F110HJ01 , 5F110HJ13 , 5F110HJ14 , 5F110HJ23 , 5F110HK05 , 5F110HK21 , 5F110HK34 , 5F110HK40 , 5F110HK42 , 5F110HM02 , 5F110NN02 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN35 , 5F110QQ08 , 5F110QQ17 , 5F110QQ19 , 5F140AA01 , 5F140AA21 , 5F140AB04 , 5F140AC28 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BA05 , 5F140BA20 , 5F140BB05 , 5F140BC13 , 5F140BC15 , 5F140BC17 , 5F140BD05 , 5F140BD09 , 5F140BE06 , 5F140BE07 , 5F140BE08 , 5F140BF04 , 5F140BF11 , 5F140BF18 , 5F140BF42 , 5F140BF44 , 5F140BF60 , 5F140BG08 , 5F140BG14 , 5F140BG28 , 5F140BG40 , 5F140BG52 , 5F140BG53 , 5F140BH06 , 5F140BH35 , 5F140BH43 , 5F140BJ08 , 5F140BK02 , 5F140BK10 , 5F140BK13 , 5F140BK14 , 5F140BK18 , 5F140BK21 , 5F140BK29 , 5F140BK34 , 5F140BK39 , 5F140CB04 , 5F140CB08 , 5F140CC03 , 5F140CC04 , 5F140CC08 , 5F140CC09 , 5F140CC12 , 5F140CE05 , 5F140CF04

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