特許
J-GLOBAL ID：200903007127192898
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-314105
公開番号（公開出願番号）：特開平11-150331
出願日： 1997年11月14日
公開日（公表日）： 1999年06月02日
要約：
【要約】【課題】 特性が良好で、信頼性が高く、かつ長寿命の半導体発光素子などの半導体装置を提供する。【解決手段】 II-VI族化合物半導体を用いた半導体発光素子のp側電極コンタクト部において、p型ZnSeコンタクト層1、p型ZnSe/ZnTeMQW層2、p型ZnTeコンタクト層3および低欠陥密度p型ZnTeコンタクト層4を順次積層し、低欠陥密度p型ZnTeコンタクト層4上にp側電極5を設けた構造とする。p型ZnTeコンタクト層3の厚さは80nm以上、好ましくは97nm以上とする。低欠陥密度p型ZnTeコンタクト層4の厚さは330nm以下とする。
請求項（抜粋）：
半導体層と、上記半導体層上の金属電極とを有する半導体装置において、上記半導体層と上記金属電極との間に低欠陥密度半導体層が設けられていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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