特許

J-GLOBAL ID：200903009629525842

ピエゾ電場の評価方法

発明者： 竹内 日出雄 ,  山本 佳嗣 ,  石川 高英
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (3件)： 青山 葆 ,  河宮 治 ,  石野 正弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-033306
公開番号（公開出願番号）：特開2004-247380
出願日： 2003年02月12日
公開日（公表日）： 2004年09月02日
要約：

【課題】PR分光法とは異なる手法により、半導体ヘテロ接合界面のピエゾ電場の非破壊分光測定を行い、ピエゾ電場を解析・評価する方法を提供する。【解決手段】ピエゾ電場の評価方法は、試料に第1の角度で赤外光を照射して第1の吸収スペクトルを測定するステップと、試料に、第1の角度とは異なる第2の角度で赤外光を照射して第2の吸収スペクトルを測定するステップと、測定した第1の吸収スペクトルおよび第2の吸収スペクトルに基づいて、入射光角度依存性のある吸収バンドのピーク位置を特定するステップと、特定されたピーク位置により表される電子エネルギー準位と、ピエゾ電場との関係を表すエネルギー準位式に基づいて、ピエゾ電場の大きさを取得するステップとを有する。【選択図】 図4

請求項（抜粋）：

試料に第1の角度で赤外光を照射して第1の吸収スペクトルを測定するステップと、 前記試料に、第1の角度とは異なる第2の角度で赤外光を照射して第2の吸収スペクトルを測定するステップと、 測定した前記第1の吸収スペクトルおよび前記第2の吸収スペクトルに基づいて、入射光角度依存性のある吸収バンドのピーク位置を特定するステップと、 特定された前記ピーク位置により表される電子エネルギー準位と、ピエゾ電場との関係を表すエネルギー準位式に基づいて、該ピエゾ電場の大きさを取得するステップと を有する、ピエゾ電場の評価方法。

IPC (2件)：

H01L21/66 ,  G01N21/35

FI (2件)：

H01L21/66 L ,  G01N21/35 Z

Fターム (18件)：

2G059AA03 ,  2G059BB08 ,  2G059BB16 ,  2G059DD13 ,  2G059EE01 ,  2G059EE12 ,  2G059HH01 ,  2G059JJ05 ,  2G059JJ11 ,  2G059JJ13 ,  2G059JJ14 ,  2G059LL01 ,  2G059MM01 ,  2G059MM14 ,  4M106AA01 ,  4M106AA02 ,  4M106BA04 ,  4M106CA70