特許
J-GLOBAL ID：200903021479476619
表面形状認識センサ装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-279076
公開番号（公開出願番号）：特開2004-117104
出願日： 2002年09月25日
公開日（公表日）： 2004年04月15日
要約：
【課題】センサ回路出力のダイナミックレンジを大きくすることができ、S/N比の良好な画像出力が得られるようにする。【解決手段】センサ素子11のうち、認識対象物との間で容量を発生させるセンサ電極16と、このセンサ電極16の近傍に配置され認識対象物と接触する固定電極15との距離を、5μm以上とする。また、固定電極15を正方形の格子状に形成してセンサ電極16を前記固定電極の各格子の中にそれぞれ配置してセンサ素子11を構成し、固定電極15の各格子の間隔を100μm以下とする。さらに、センサ電極16の一辺の長さを20μm以上とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された層間絶縁膜の同一平面上に互いに絶縁分離されて配置されたセンサ電極と、前記層間絶縁膜上に前記センサ電極の近傍であってかつ前記センサ電極と絶縁分離されて配置された固定電極と、前記層間絶縁膜上に前記センサ電極を覆うように形成されかつ絶縁性の部材からなるパッシベーション膜と、前記センサ電極と認識対象物の表面との間の容量に応じた信号を出力するセンサ回路とを有する複数のセンサ素子を備え、
前記固定電極は、前記パッシベーション膜表面に一部が接触した対向電極となる表面形状の認識対象物の表面と接触するように、その一部が前記パッシベーション膜表面で露出して前記層間絶縁膜上に形成され、
前記各センサ素子の容量検出手段からの信号に基づき前記認識対象物の表面形状を検出する表面形状認識センサ装置であって、
前記センサ電極と前記固定電極との距離を5μm以上とすることを特徴とする表面形状認識センサ装置。
IPC (3件)：
G01B7/28
, A61B5/117
, G06T1/00
G01B7/28 A
, G06T1/00 400G
, A61B5/10 322
2F063BA29
, 2F063BB02
, 2F063BD11
, 2F063CA08
, 2F063DA02
, 2F063DA05
, 2F063DD07
, 2F063HA04
, 4C038FF01
, 4C038FF05
, 4C038FG00
, 5B047AA25
, 5B047BA02
, 5B047BB10
, 5B047BC01
, 5B047BC14
, 5B047CA04
