特許
J-GLOBAL ID：200903024409840720
半導体受光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
光石 俊郎
, 田中 康幸
, 松元 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-130076
公開番号（公開出願番号）：特開2008-288293
出願日： 2007年05月16日
公開日（公表日）： 2008年11月27日
要約：
【課題】具体的にはInGaAsN光吸収層の膜厚が薄い場合であっても、大きな量子効率が得られ、加えて暗電流の少ない半導体受光素子を提供する。【解決手段】InP基板1上に形成されたInGaAsN層を光吸収層5とし、信号光をInP基板1とは反対側から入射させる半導体受光素子において、InP基板1とInGaAsN光吸収層5の間に信号光を反射するための半導体多層膜反射鏡2を設置し、さらにInGaAsN光吸収層5に対してInP基板1の反対側には半導体多層膜2により反射された光をさらに反射するような反射鏡(例えばp-InGaAs層7と空気の界面で反射する反射鏡)を設置し、信号光をこの2つの反射鏡の間で共振させる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体基板上に光吸収層として窒素を含む半導体層を有し、前記光吸収層に対して信号光を前記半導体基板とは反対方向から入射し、前記信号光から電気信号を取り出す半導体受光素子において、
前記半導体基板と前記光吸収層の間に前記信号光を反射するような半導体多層膜を備えたことを特徴とする半導体受光素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (8件)：
5F049MA04
, 5F049MB07
, 5F049NA05
, 5F049NB07
, 5F049PA01
, 5F049SS04
, 5F049SZ20
, 5F049WA01
