トランジスタのシミュレーション方法及びシミュレーション装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：渡辺徳廣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-090048
公開番号（公開出願番号）：特開2006-269998
出願日： 2005年03月25日
公開日（公表日）： 2006年10月05日
要約：

【課題】構造的な乱れや不純物の存在による状態密度の変化等の影響を受ける、非晶質トランジスタを、精度よくシミュレーションを行う方法を提供する。【解決手段】半導体層とゲート絶縁層の界面の蓄積電荷を、半導体層とゲート絶縁層を誘電体とした二層積層構造における電圧印加時の界面の蓄積電荷とみなして求める第1の工程と、前記界面の蓄積電荷を基に、前記ソース電極とドレイン電極の間に流れる電流を求める第2の工程と、前記ソース電極及びドレイン電極から前記半導体層に注入される電荷を求める第3の工程と、前記半導体層に内在する電荷を求める第4の工程と、前記第3及び第4の工程で導出した電荷を基に半導体層の伝導率を求める第5の工程と、前記第2の工程で求めた電流の式に第5の工程で求めた伝導率を導入することによりトランジスタ特性を算出する第6の工程とを有する回路のシミュレーション方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

少なくとも半導体層とゲート絶縁層を有するトランジスタを含む回路のシミュレーション方法であって、前記半導体層とゲート絶縁層の界面の蓄積電荷を、半導体層とゲート絶縁層を誘電体とした二層積層構造における電圧印加時の界面の蓄積電荷とみなして求める第一の工程と、前記半導体層に注入される電荷を求める第二の工程と、前記半導体層に元々内在する電荷を求める第三の工程と、第一乃至第三の工程で求めた電荷に基づいて前記トランジスタの特性を算出する第四の工程とを少なくとも有することを特徴とする回路のシミュレーション方法。

IPC (4件)：

H01L 29/786 , G06F 17/50 , H01L 29/00 , H01L 51/05

FI (5件)：

H01L29/78 624 , G06F17/50 662G , H01L29/00 , H01L29/78 618B , H01L29/28

Fターム (26件)：

5B046AA08 , 5B046BA03 , 5B046JA04 , 5F110AA25 , 5F110BB01 , 5F110BB10 , 5F110CC07 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE08 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF05 , 5F110FF23 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG05 , 5F110GG06 , 5F110GG13 , 5F110GG15 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110HK02 , 5F110QQ30

引用特許：

出願人引用 (1件)

特開平3-230578号公報

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