電界効果型トランジスタ及びその製造方法

発明者： , , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：宮崎昭夫 , 石橋政幸 , 緒方雅昭
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2005012178
公開番号（公開出願番号）：WO2006-006424
出願日： 2005年07月01日
公開日（公表日）： 2006年01月19日
要約：

半導体層の上部コーナーに形成されるしきい値電圧が低く、寄生トランジスタによる漏れ電流が抑制されるFinFET及びその製造方法を提供する。半導体領域と、ゲート絶縁膜と、キャップ絶縁膜と、ゲート絶縁膜及びキャップ絶縁膜上に設けられたゲート電極と、ソース/ドレイン領域とを有し、半導体領域の側面にチャネル領域が形成される電界効果型トランジスタであって、ゲート電極に覆われた前記キャップ絶縁膜の、前記半導体領域の側面の延長方向の側面のうち、該半導体領域に接する少なくとも一部の部分に、HF溶液を用いたウェットエッチングに対してSiO2よりもエッチングレートが低い側面耐エッチング領域を持つことを特徴とする電界効果型トランジスタ。

請求項（抜粋）：

基体平面に対して上方に突起した半導体領域と、該半導体領域の上面に設けられたキャップ絶縁膜と、該半導体領域及び該キャップ絶縁膜をまたぐように該キャップ絶縁膜の上部から該半導体領域の側方に延在したゲート電極と、このゲート電極と前記半導体領域の側面の間に介在するゲート絶縁膜と、該ゲート電極に覆われた該半導体領域を挟むように、該半導体領域に設けられたソース/ドレイン領域とを有し、該半導体領域の側面にチャネル領域が形成される電界効果型トランジスタであって、ゲート電極に覆われた前記キャップ絶縁膜の、前記半導体領域の側面の延長方向の側面のうち、該半導体領域に接する少なくとも一部の部分に、HF溶液を用いたウェットエッチングに対してSiO2よりもエッチングレートが低い側面耐エッチング領域を持つことを特徴とする電界効果型トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/786 , H01L 29/78 , H01L 21/336

FI (5件)：

H01L29/78 618C , H01L29/78 301X , H01L29/78 301Y , H01L29/78 619A , H01L29/78 617S

Fターム (53件)：

5F110AA06 , 5F110CC10 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE02 , 5F110EE05 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE22 , 5F110EE31 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG03 , 5F110GG19 , 5F110GG22 , 5F110GG24 , 5F110GG30 , 5F110GG52 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ13 , 5F110HK05 , 5F110HL02 , 5F110NN02 , 5F110NN23 , 5F110QQ02 , 5F110QQ11 , 5F140AA16 , 5F140AA24 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BB05 , 5F140BC06 , 5F140BC15 , 5F140BF04 , 5F140BF11 , 5F140BF18 , 5F140BF42 , 5F140BF44 , 5F140BF60 , 5F140BG08 , 5F140BG20 , 5F140BG22 , 5F140BH02 , 5F140BH21 , 5F140BH49 , 5F140BJ01 , 5F140BJ08 , 5F140BJ27 , 5F140BK13 , 5F140CC03 , 5F140CE07 , 5F140CE20

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