特許

J-GLOBAL ID：200903043453616416

半導体レーザ

発明者： 中野 一志 ,  冨谷 茂隆
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-061566
公開番号（公開出願番号）：特開平7-273397
出願日： 1994年03月30日
公開日（公表日）： 1995年10月20日
要約：

【要約】【目的】 エピタキシャル成長半導体に周期的凹凸すなわちうねりが発生しても、内部損失の発生を効果的に回避する。【構成】 (001)結晶面による化合物半導体基板1の1の面上に、II-VI 族化合物半導体のエピタキシャル成長層による少なくともクラッド層例えば第1のクラッド層11および第2のクラッド層12と、活性層13を有する半導体レーザにおいて、その共振器長方向を〔1-10〕軸方向とする。

請求項（抜粋）：

(001)結晶面による化合物半導体基板面上に、II-VI 族化合物半導体のエピタキシャル成長層による少なくともクラッド層と、活性層を有する半導体レーザにおいて、その共振器長方向を〔1-10〕軸方向としたことを特徴とする半導体レーザ。