特許
J-GLOBAL ID：200903044945504237
半導体発光素子とその製法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-315525
公開番号（公開出願番号）：特開平7-170021
出願日： 1993年12月15日
公開日（公表日）： 1995年07月04日
要約：
【要約】【目的】 活性層とその近傍における不安定な格子歪の発生を効果的に回避して、信頼性にすぐれ、長寿命化をはかる。【構成】 活性層5と、この活性層5を挟んでガイド層4,6を介して形成されたクラッド層3,7、あるいはこれらガイド層を介することなく形成されたクラッド層3,7とを有する半導体発光素子において、活性層5、またはこの活性層5とこれに隣接するガイド層4,6の厚さ方向の組成分布を均一とする構成とする。
請求項（抜粋）：
活性層と、該活性層を挟んでガイド層を介してあるいはガイド層を介することなく形成されたクラッド層とを有する半導体発光素子において、上記活性層、または上記活性層とこれに隣接する上記ガイド層の厚さ方向の組成分布を均一としたことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (3件)：
H01S 3/18
, H01L 21/203
, H01L 33/00
