特許

J-GLOBAL ID：200903045603790137

有機半導体素子及びその製造方法

発明者： 平井 匡彦 ,  岩本 光正 ,  間中 孝彰
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 渡辺 徳廣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-091573
公開番号（公開出願番号）：特開2005-277282
出願日： 2004年03月26日
公開日（公表日）： 2005年10月06日
要約：

【課題】 有機半導体材料と導電性電極との間に流れるキャリア密度を増大させる有機半導体素子を提供する。【解決手段】 有機半導体材料と、前記有機半導体材料と接する導電性電極を含む有機半導体素子において、前記有機半導体材料と前記導電性電極との接合障壁を、前記有機半導体の擬フェルミ準位と前記導電性電極のフェルミ準位とを調整手段を用いて最適化することによって、前記有機半導体材料と前記導電性電極との間に流れるキャリア密度を増大させる有機半導体素子。前記調整手段は、光照射、プラズマ暴露、加熱、液体による洗浄、ラビング処理のいずれかで行う。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

有機半導体材料と、前記有機半導体材料と接する導電性電極を含む有機半導体素子において、前記有機半導体材料と前記導電性電極との接合障壁を、前記有機半導体の擬フェルミ準位と前記導電性電極のフェルミ準位とを調整手段を用いて最適化することによって、前記有機半導体材料と前記導電性電極との間に流れるキャリア密度を増大させることを特徴とする有機半導体素子。

IPC (5件)：

H01L51/00 ,  H01L21/28 ,  H01L29/786 ,  H01L31/04 ,  H01L33/00

FI (5件)：

H01L29/28 ,  H01L21/28 301B ,  H01L33/00 E ,  H01L29/78 618B ,  H01L31/04 D

Fターム (31件)：

4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB06 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB36 ,  4M104GG02 ,  4M104GG04 ,  4M104GG05 ,  4M104GG08 ,  5F041AA22 ,  5F041CA45 ,  5F041CA83 ,  5F041CA98 ,  5F041CA99 ,  5F051AA11 ,  5F051BA11 ,  5F051CB27 ,  5F051FA06 ,  5F051KA10 ,  5F110AA07 ,  5F110CC03 ,  5F110DD05 ,  5F110EE08 ,  5F110FF02 ,  5F110GG05 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK42

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 有機薄膜発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-217130   出願人：株式会社豊田中央研究所