特許

J-GLOBAL ID：200903046252515211

半導体装置の製法

発明者： 佐久間 一人 ,  青山 眞二 ,  町田 克之 ,  田辺 泰之 ,  今井 和雄
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 田中 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-132937
公開番号（公開出願番号）：特開平7-006995
出願日： 1993年05月11日
公開日（公表日）： 1995年01月10日
要約：

【要約】【目的】 半導体基板上に薄い厚さの領域を有する第1の絶縁膜を形成し、次に第1の絶縁膜上に導電性層を形成し、次に第1の絶縁膜上に導電性層を覆っているシリコン酸化物でなる第2の絶縁膜を形成し、次に第2の絶縁膜上に有機高分子材でなり且つ第2の絶縁膜を外部に臨ませる第1の窓を有するマスク層を形成し、次にマスク層の表面を親水性化させ且つ第2の絶縁膜上の第1の窓に臨む領域に残存し得るマスク層の有機高分子材を除去させ、次に第2の絶縁膜に対するウェットエッチング処理により、第2の絶縁膜に導電性層を外部に臨ませる第2の窓を形成する半導体装置の製法において、第2の絶縁膜を厚さの薄い領域においても損傷させるおそれがないようにする。【構成】 マスク層の表面を親水性化させ且つ第2の絶縁膜上の第1の窓に臨む領域に残存し得るマスク層の有機高分子材を除去させるにつき、酸素を含む雰囲気中で紫外線を照射させる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、比較的薄い厚さを有する領域を有する第1の絶縁膜を形成する第1の工程と、上記第1の絶縁膜上に、導電性層を、上記比較的薄い厚さを有する領域上に延長して、アイランド状に形成する第2の工程と、上記第1の絶縁膜上に、上記導電性層を覆って延長しているシリコン酸化物でなる第2の絶縁膜を形成する第3の工程と、上記第2の絶縁膜上に、有機高分子材でなり、且つ上記導電性層と対向する位置において上記第2の絶縁膜を外部に臨ませる第1の窓を有するマスク層を形成する第4の工程と、上記マスク層の表面を親水性化させるとともに、上記マスク層の形成時に上記第2の絶縁膜上に上記マスク層の上記第1の窓に臨む領域において残存し得る上記マスク層を構成している有機高分子材を除去させる第5の工程と、上記第5の工程後、上記第2の絶縁膜に対する、上記マスク層をマスクとする、エッチング溶液を用いたエッチング処理によって、上記第2の絶縁膜に、上記導電性層を外部に臨ませる第2の窓を形成する第6の工程とを有する半導体装置の製法において、上記第5の工程において、上記マスク層の表面を親水性化させるとともに、上記第2の絶縁膜上に上記第1の窓に臨む領域において残存し得る上記マスク層を構成している有機高分子材を除去させるにつき、酸素を含む雰囲気中で、紫外線を照射させることを特徴とする半導体装置の製法。

IPC (3件)：

H01L 21/306 ,  H01L 21/027 ,  H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 21/306 S ,  H01L 21/30 572 A ,  H01L 29/78 301 F

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-061326
  
• 特開昭62-039011
  
• 特開平2-201916