特許
J-GLOBAL ID:200903049617031307
半導体装置及びその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (3件):
宮崎 昭夫
, 石橋 政幸
, 緒方 雅昭
公報種別:再公表公報
出願番号(国際出願番号):JP2004014243
公開番号(公開出願番号):WO2005-036651
出願日: 2004年09月29日
公開日(公表日): 2005年04月21日
要約:
基体平面に対して突出した半導体凸部と、この半導体凸部を跨ぐようにその上部から相対する両側面上に延在するゲート電極と、このゲート電極と前記半導体凸部の間に介在するゲート絶縁膜と、前記半導体凸部に設けられたソース/ドレイン領域とを有するMIS型電界効果トランジスタ、このトランジスタを含む基体上に設けられた層間絶縁膜、及びこの層間絶縁膜に形成された埋め込み導体配線を有し、この埋め込み導体配線は、前記半導体凸部のソース/ドレイン領域と、前記層間絶縁膜下の他の導電部とに接続されていることを特徴とする半導体装置。
請求項(抜粋):
基体平面に対して突出した半導体凸部と、この半導体凸部を跨ぐようにその上部から相対する両側面上に延在するゲート電極と、このゲート電極と前記半導体凸部の間に介在するゲート絶縁膜と、前記半導体凸部に設けられたソース/ドレイン領域とを有するMIS型電界効果トランジスタ、
このトランジスタを含む基体上に設けられた層間絶縁膜、及び
この層間絶縁膜に形成された溝に導電体が埋め込まれてなる埋め込み導体配線を有し、
この埋め込み導体配線は、前記半導体凸部のソース/ドレイン領域と、前記層間絶縁膜下の他の導電部とを結合することを特徴とする半導体装置。
IPC (11件):
H01L 29/786
, H01L 29/41
, H01L 29/417
, H01L 21/824
, H01L 27/11
, H01L 29/78
, H01L 27/08
, H01L 21/823
, H01L 27/088
, H01L 21/768
, H01L 23/522
FI (13件):
H01L29/78 618C
, H01L29/78 616S
, H01L29/78 626C
, H01L29/78 613A
, H01L29/78 613B
, H01L29/44 L
, H01L29/50 M
, H01L27/10 381
, H01L29/78 301S
, H01L29/78 301X
, H01L27/08 331E
, H01L27/08 102A
, H01L21/90 D
Fターム (191件):
4M104AA01
, 4M104AA09
, 4M104BB01
, 4M104BB03
, 4M104BB04
, 4M104BB13
, 4M104BB14
, 4M104BB16
, 4M104BB17
, 4M104BB18
, 4M104BB20
, 4M104BB21
, 4M104BB22
, 4M104BB23
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, 4M104BB25
, 4M104BB26
, 4M104BB27
, 4M104BB28
, 4M104BB29
, 4M104BB30
, 4M104BB32
, 4M104BB33
, 4M104BB40
, 4M104CC01
, 4M104DD37
, 4M104DD84
, 4M104EE03
, 4M104EE12
, 4M104EE16
, 4M104FF01
, 4M104GG09
, 4M104GG10
, 4M104GG14
, 4M104HH15
, 5F033GG03
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, 5F140BD11
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