特許
J-GLOBAL ID：200903050188631374
付着層の除去方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-349509
公開番号（公開出願番号）：特開平5-160124
出願日： 1991年12月09日
公開日（公表日）： 1993年06月25日
要約：
【要約】【目的】 接続孔底部に露出した金属層を傷めることなく、付着層を除去するようにする。【構成】 基板1上の金属層2上に形成された絶縁膜3に、所定の形状の接続孔5を少なくともプラズマ処理を含む加工法により形成し、このプラズマ処理中に発生する付着層6を除去する際に、付着層6の除去を、上記金属層2と吸着反応し易いガスを用いたスパッタエッチングにより行う。
請求項（抜粋）：
基板上の金属層上に形成された絶縁膜に、所定の形状の接続孔を少なくともプラズマ処理を含む加工法により形成する工程と、該プラズマ処理中に発生する付着層を除去する工程とを含む半導体装置の製造方法において、上記付着層の除去を、上記金属層と吸着反応し易いガスを用いたスパッタエッチングにより行うことを特徴とする付着層の除去方法。
IPC (3件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/302
, H01L 21/28
