特許
J-GLOBAL ID：200903051867617107
半導体素子および半導体発光素子ならびに半導体受光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-182276
公開番号（公開出願番号）：特開2000-022276
出願日： 1998年06月29日
公開日（公表日）： 2000年01月21日
要約：
【要約】【課題】 p側電極とのコンタクト構造を改善することにより、動作電圧を低下させることができる半導体発光素子を提供する。【解決手段】 n型基板の上にn型クラッド層,第1のガイド層,活性層,第2のガイド層,p型クラッド層,ZnSSeキャップ層,ZnSeキャップ層19,組成傾斜超格子層20および低欠陥コンタクト層21を順次積層する。組成傾斜超格子層20はp型ZnTe層20a,20c,20e,20g,20iとp型ZnSe層20b,20d,20f,20h,20jとを交互に積層して形成する。p型ZnTe層20a,20c,20e,20g,20iの厚さは低欠陥コンタクト層21側を厚くする。低欠陥コンタクト層21の厚さは5nm以下とする。格子歪みが緩和され、低欠陥コンタクト層21の欠陥密度が低くなるため、通電直後における動作電圧の上昇が抑制され、動作電圧が低くなる。
請求項（抜粋）：
母体結晶がZnSeよりなる第1の層と、この第1の層に隣接して設けられると共に、母体結晶がZnTeよりなるZnTe層と母体結晶がZnSeよりなるZnSe層とが交互に2層づつ以上積層され、各ZnTe層または各ZnSe層の少なくとも一方の厚さが積層方向において変化することにより組成に傾斜を有する組成傾斜超格子層と、この組成傾斜超格子層に隣接して設けられ、母体結晶がZnTeよりなり厚さが5nm以下の第2の層とを備えたことを特徴とする半導体素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (18件)：
5F041AA24
, 5F041CA03
, 5F041CA04
, 5F041CA35
, 5F041CA41
, 5F041CA43
, 5F041CA44
, 5F041CA82
, 5F041CA92
, 5F073AA45
, 5F073AA73
, 5F073BA06
, 5F073CA22
, 5F073CB02
, 5F073CB10
, 5F073CB22
, 5F073DA06
, 5F073EA28
