特許

J-GLOBAL ID：200903055715161936

半導体集積回路装置における多層配線構体

発明者： 高橋 淳一 ,  町田 克之 ,  下山 展弘 ,  峯岸 一茂
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 田中 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-113042
公開番号（公開出願番号）：特開平5-291413
出願日： 1992年04月06日
公開日（公表日）： 1993年11月05日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 多層金属配線構体において層間絶縁膜に含まれている水分が、絶縁膜から基板側に半導体素子まで到達して金属配線層を酸化し劣化させ、素子の特性が低下するのを防止する。【構成】 P型Si基板1の主面上に多数の素子形成領域2以外にSiO2の素子分離絶縁膜3を形成する。素子形成領域2にはゲート絶縁膜を介してゲート電極5が、その両位置にn型のソース領域6及びドレイン領域7が形成される。次にゲート電極を覆い前記両領域をそれぞれ外部に臨ませる窓8,9を有する酸化膜10が形成され、その上に各窓を通してソース及びドレイン領域に連結するソース用及びドレイン用金属配線層11及び12が形成され、またそれら配線層を覆って層間絶縁膜13が形成される。層間絶縁膜は下地の上面に段差があってもその段差を緩和した上面に形成される性質をもつ絶縁膜15と、内部に点欠陥を有するSiO2絶縁膜14,16で挾んで積層した絶縁膜積層体である。

請求項（抜粋）：

多数の半導体素子を形成している半導体基板上に、複数の金属配線層が、層間絶縁膜を介して、多層に形成されている半導体集積回路装置における多層配線構体において、上記層間絶縁膜が、内部に点欠陥を有する絶縁膜と、上記層間絶縁膜が形成される下地の上面に段差を有していてもその段差を緩和した上面に形成される性質を有する絶縁材でなる絶縁膜とがそれらの順に積層させている構成を有する絶縁膜積層体でなることを特徴とする半導体集積回路装置における多層配線構体。

IPC (2件)：

H01L 21/90 ,  H01L 29/784