特許

J-GLOBAL ID：200903059819851956

半導体発光装置およびその製造方法

発明者： 玉村 好司 ,  簗嶋 克典 ,  中島 博 ,  冨谷 茂隆
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-383027
公開番号（公開出願番号）：特開2002-185084
出願日： 2000年12月18日
公開日（公表日）： 2002年06月28日
要約：

【要約】【課題】 メサ構造を有する半導体発光装置に形成される活性層に効率良く電流を流すように電流狭窄領域をエピタキシャル層形成工程の増加なく形成して、しきい値電流の低減を図り半導体発光装置の発光特性の向上を図る。【解決手段】 基板11上に少なくとも、第1伝導型の第1のクラッド層12と、活性層13と、第2伝導型の第2のクラッド層14と、一方の電極がオーミックコンタクトされるキャップ層15とが形成され、第1のクラッド層12および第2のクラッド層14の少なくとも一方に、活性層13の動作領域に通電を行う電流狭窄領域21、22が形成され、電流狭窄領域21、22は一旦ドーパントの活性化がなされてキャリアを有した伝導型層を不活性化させてなる逆伝導型層もしくはキャリア不活性層からなるものである。

請求項（抜粋）：

基板上に少なくとも、第1伝導型の第1のクラッド層と、活性層と、第2伝導型の第2のクラッド層と、一方の電極がオーミックコンタクトされるキャップ層とが形成され、前記第1のクラッド層および前記第2のクラッド層の少なくとも一方に、前記活性層の動作領域に通電を行う電流狭窄領域が形成され、前記電流狭窄領域は一旦ドーパントの活性化がなされてキャリアを有した伝導型層を不活性化させてなる逆伝導型層からなることを特徴とする半導体発光装置。

Fターム (8件)：

5F073AA07 ,  5F073AA74 ,  5F073CA17 ,  5F073CB02 ,  5F073DA05 ,  5F073DA14 ,  5F073DA25 ,  5F073EA23