特許

J-GLOBAL ID：200903060808393172

電界効果型トランジスタの製造方法

発明者： 黄 俐昭 ,  若林 整 ,  山上 滋春 ,  李 ジョンウー
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (3件)： 京本 直樹 ,  福田 修一 ,  河合 信明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-166799
公開番号（公開出願番号）：特開2004-014835
出願日： 2002年06月07日
公開日（公表日）： 2004年01月15日
要約：

【課題】ゲート長0.1ミクロン以下の微細な電界効果型トランジスタの製造方法で、深いソース/ドレイン領域形成後に厚いゲート側壁を取り除く工程を用いることなく、点欠陥を抑制し、チャンネル領域の不純物分布を急峻化する。【解決手段】ゲート電極の形成後、第一導電型の不純物を高濃度にイオン注入し、続いて熱処理、第二導電型の不純物のイオン注入、ゲート側面への側壁形成、第一導電型の不純物のイオン注入を行ったのち、熱処理を行って電界効果型トランジスタを製造する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

ゲート電極の形成後、第一導電型の不純物を高濃度にイオン注入し、続いて熱処理を行い、浅い高濃度領域であるソース/ドレイン・エクステンション領域を形成し、続いて、低濃度の第二導電型の不純物のイオン注入、ゲート側面への側壁形成、高濃度の第一導電型の不純物のイオン注入を行ったのち、熱処理を行うことを特徴とする電界効果型トランジスタの製造方法。

IPC (3件)：

H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

FI (4件)：

H01L29/78 301S ,  H01L29/78 613Z ,  H01L29/78 616A ,  H01L29/78 617J

Fターム (74件)：

5F110AA01 ,  5F110AA30 ,  5F110BB03 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE05 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE32 ,  5F110EE42 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG12 ,  5F110GG25 ,  5F110GG35 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ14 ,  5F110HJ23 ,  5F110HK05 ,  5F110HM15 ,  5F110QQ11 ,  5F140AA01 ,  5F140AA39 ,  5F140AB03 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BA02 ,  5F140BA03 ,  5F140BA05 ,  5F140BD05 ,  5F140BD07 ,  5F140BD09 ,  5F140BD10 ,  5F140BD11 ,  5F140BF04 ,  5F140BF11 ,  5F140BF18 ,  5F140BG09 ,  5F140BG11 ,  5F140BG12 ,  5F140BG14 ,  5F140BG27 ,  5F140BG32 ,  5F140BG34 ,  5F140BG37 ,  5F140BG51 ,  5F140BG53 ,  5F140BG54 ,  5F140BH14 ,  5F140BH21 ,  5F140BH33 ,  5F140BH35 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ08 ,  5F140BK13 ,  5F140BK14 ,  5F140BK21 ,  5F140BK34 ,  5F140CE20 ,  5F140CF04 ,  5F140CF07 ,  5F140DB08