特許
J-GLOBAL ID：200903061612863096
電荷測定方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-340383
公開番号（公開出願番号）：特開平7-161795
出願日： 1993年12月09日
公開日（公表日）： 1995年06月23日
要約：
【要約】【目的】 より簡便なプロセスにより、迅速にかつ製造装置の汚染など無く評価用MOSダイオードを作成できるようにすることを目的とする。【構成】 シリコン基板1表面に熱酸化により形成した酸化膜2に汚染層3を導入し、この汚染層3上に予め作成しておいた表面に金が蒸着されたシリコンからなる小片電極8を熱圧着し、評価用のMOSダイオードを形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された絶縁膜中の可動イオンを測定する三角波掃引法による電荷測定方法において、低融点となっている金属面を有する小片電極の前記金属面を前記絶縁膜に熱圧着することでゲート電極を形成してMOSダイオードを作成し、前記ゲート電極と半導体基板の間に、電圧を上下させる三角波をもちいて印加する電圧を掃引し、この時の電流を測定することで、前記絶縁膜中の可動イオンを測定することを特徴とする電荷測定方法。
IPC (2件)：
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