特許

J-GLOBAL ID：200903064280905902

半導体装置およびその製造方法

発明者： 細矢 徹夫 ,  町田 克之 ,  秋谷 秀夫 ,  今井 和雄 ,  荒井 英輔
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-140750
公開番号（公開出願番号）：特開平7-326617
出願日： 1994年06月01日
公開日（公表日）： 1995年12月12日
要約：

【要約】【目的】 配線を経由した拡散層相互間または拡散層とゲート電極との相互間の不純物の拡散,シリサイド反応層の厚膜化による拡散層の接合リークの発生および配線の密着不良などを解決し、旧来のLSI製造技術と親和性の良い高耐熱性配線が得られ、動作特性に優れた半導体装置およびその製造方法を得る。【構成】 n型半導体基板1の表面には例えばボロンを拡散してp型拡散層2およびこの拡散層2の一部が露出するように開口4を有して絶縁膜3が形成されており、この拡散層2の表面には、例えば第1のタングステンシリサイド層5をECRにより形成した窒素系プラズマで窒化した不純物拡散バリアとしての窒化物層6が形成され、この窒化物層6上には例えば第2のタングステンシリサイド層を約100nm程度の厚さに形成してなるシリサイド配線8が形成されている。

請求項（抜粋）：

高融点金属シリサイド層を窒化処理で形成した窒化物層を含む配線を備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/768 ,  H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 21/88 Q ,  H01L 21/90 D ,  H01L 29/78 301 G