特許

J-GLOBAL ID：200903065184153157

半導体装置の製造方法

発明者： 下山 展弘 ,  町田 克之 ,  久良木 億 ,  嶋屋 正一
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-285161
公開番号（公開出願番号）：特開平10-135214
出願日： 1996年10月28日
公開日（公表日）： 1998年05月22日
要約：

【要約】【課題】 バンプ形成時に能動素子に生じた劣化を簡単に回復させることができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板に能動素子を形成した後に配線層と層間絶縁膜層とを形成する工程11,12と、その後この能動素子に電極を形成する工程13と、この電極にボンディング法によりバンプを形成する工程21と、所定雰囲気中で半導体基板を加熱処理する工程22とを有する。

請求項（抜粋）：

半導体基板に能動素子を形成した後に配線層と層間絶縁膜層とを形成する工程と、その後この能動素子に電極を形成する工程と、この電極にボンディング法によりバンプを形成する工程と、所定雰囲気中で半導体基板を加熱処理する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/321 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 21/92 604 J ,  H01L 29/78 301 Y