特許

J-GLOBAL ID：200903066353768570

基材の平坦化方法、被膜付基材および半導体装置の製造方法

発明者： 村口 良 ,  中島 昭 ,  藤内 篤 ,  小松 通郎 ,  町田 克之 ,  久良木 億 ,  今井 和雄
出願人/特許権者： 触媒化成工業株式会社 ,  日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 俊一郎
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP1997003979
公開番号（公開出願番号）：WO1998-021750
出願日： 1997年10月31日
公開日（公表日）： 1998年05月22日
要約：

【要約】本発明は、凹凸な表面を有する基材の凹凸面を容易に平坦化する方法を提供する。平滑基材表面に球状微粒子含有被膜を形成したのち、平滑基材表面に該球状微粒子含有被膜が形成された面と、凹凸な表面を有する基材の凹凸面とを密着させて、球状微粒子含有被膜を凹凸な表面を有する基材の凹凸面に転写して、該凹凸面を平坦化する。

請求項（抜粋）：

平滑基材表面に球状微粒子含有被膜を形成したのち、 平滑基材表面に該球状微粒子含有被膜が形成された面と、凹凸な表面を有する基材の凹凸面とを密着させて、 球状微粒子含有被膜を凹凸な表面を有する基材の凹凸面に転写して、該凹凸面を平坦化することを特徴とする基材の平坦化方法。

IPC (9件)：

H01L 21/316 ,  G11B 5/84 ,  G02F 1/1333 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/768 ,  H01L 27/14 ,  B05D 7/00 ,  B05D 7/24 ,  C09D183/16