特許
J-GLOBAL ID：200903068196304516
有機金属化合物膜および有機金属化合物膜の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-054015
公開番号（公開出願番号）：特開平6-132240
出願日： 1993年03月15日
公開日（公表日）： 1994年05月13日
要約：
【要約】【目的】 SiまたはGe基板面と良好に密着一体化し、かつ基板の酸化を伴わずに、所望の有機金属化合物膜を形成し得る方法およびその方法などで得られる有機金属化合物膜を提供する。【構成】 有機金属化合物膜は、表面が清浄な半導体基板面にSiあるいはGeが化学的に結合して成長された事を特徴とし、また、有機金属化合物膜の形成方法は、SiもしくはGeの不飽和結合または環状構造を有する有機金属化合物を真空下で加熱気化させる工程と、この加熱気化させた有機金属化合物を表面が清浄な半導体基板面上で開裂させた後、前記半導体基板面に気相反応によって化学的に結合せしめる工程とを具備することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
表面が清浄な半導体基板上に形成された有機ケイ素化合物および有機ゲルマニウム化合物より選ばれた有機金属化合物から成る有機金属化合物膜であって、前記有機金属化合物中のSiもしくはGeが半導体基板面に化学的に結合して成ることを特徴とする有機金属化合物膜。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, H01L 21/203
, H01L 29/28
