特許
J-GLOBAL ID：200903069191171603
II-VI族化合物半導体層の形成方法およびII-VI族化合物半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-115712
公開番号（公開出願番号）：特開平10-308557
出願日： 1997年05月06日
公開日（公表日）： 1998年11月17日
要約：
【要約】【課題】 高出力化、高信頼性化、長寿命化をはかったII-VI族化合物半導体装置を得る。【解決手段】 ダイヤモンド型ないしは閃亜鉛鉱型構造を有する単結晶半導体基体上に、II-VI族化合物半導体層を成長させるII-VI族化合物半導体層の形成方法において、上記単結晶半導体基体の、上記II-VI族化合物半導体層を成長させる主面を、(001)結晶面の面方位に選定し、この主面上に、1層以上のII-VI族化合物半導体層を、その成長表面が周期的うねりを生じる条件をもって成長させて欠陥の運動や増殖を抑制する効果を有する欠陥抑制層を形成する。
請求項（抜粋）：
ダイヤモンド型ないしは閃亜鉛鉱型構造を有する単結晶半導体基体上に、II-VI族化合物半導体層を成長させるII-VI族化合物半導体層の形成方法において、上記単結晶半導体基体の、上記II-VI族化合物半導体層を成長させる主面を、(001)結晶面の面方位に選定し、上記単結晶半導体基体の上記主面上に、1層以上のII-VI族化合物半導体層を、その成長表面が周期的うねりを生じる条件をもって成長させて欠陥の運動や増殖を抑制する効果を有する欠陥抑制層を形成するようにしたことを特徴とするII-VI族化合物半導体層の形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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