特許

J-GLOBAL ID：200903070473195791

ヘテロ接合型フォトトランジスタ

発明者： 深野 秀樹 ,  高梨 良文
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-096022
公開番号（公開出願番号）：特開平5-275730
出願日： 1992年03月24日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：

【要約】【目的】 フォトトランジスタのバルクの性質で決まる大きな電流および光学利得を得る。【構成】 半絶縁性半導体基板1上にn型InPからなるサブコレクタ用半導体層22を有しかつこのサブコレクタ用半導体層22上にIn0.53Ga0.47Asからなるコレクタ用半導体層3と、p型を有しかつIn0.53Ga0.47Asからなるベース用半導体層4と、n型を有しかつこのベース用半導体層4に比して広いエネルギバンドギャップを有するIn0.52(Ga1-xAlx)0.48Asからなるエミッタ用半導体層25と、このエミッタ用半導体層25上にIn0.52(Ga1-xAlx)0.48Asからなるエミッタコンタクト用半導体層26と、In0.53Ga0.47Asからなるエミッタ電極付用半導体層7とが積層されてヘテロ接合型フォトトランジスタが構成される。

請求項（抜粋）：

半絶縁性半導体基板上にサブコレクタ層としてn型InPを有しかつ前記サブコレクタ層上にIn<SB>1-y</SB>Ga<SB>y</SB>As(ただし0<y<1)からなるコレクタ用半導体層と、p型を有しかつIn<SB>1-z</SB>Ga<SB>z</SB>As(ただし0<z<1)からなるベース用半導体層と、n型を有しかつ前記ベース用半導体層に比して広いエネルギバンドギャップを有するIn<SB>1-w</SB>(Ga<SB>1-x</SB>Al<SB>x</SB>)<SB>w</SB>As(ただし0<w<1,0<x<1)からなるエミッタ用半導体層と、が積層されて構成されたことを特徴とするヘテロ接合型フォトトランジスタ。