光スイッチ装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山川政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-303886
公開番号（公開出願番号）：特開2004-138846
出願日： 2002年10月18日
公開日（公表日）： 2004年05月13日
要約：

【課題】半導体基板に搭載する電気回路をそれぞれの回路に適した特性の半導体素子を用いて構成し、それぞれの回路に適した電源電圧で動作させる。【解決手段】ミラー131の回動動作を制御する制御回路のうち、制御電圧の生成に必要な高電圧で動作する第1の制御回路150aを第1の半導体基板101aに搭載し、制御電圧の演算に必要な低電圧で動作する第2の制御回路150bを第2の半導体基板101bに搭載し、ミラー131の回動角度の検出に必要な低電圧で動作するセンサ回路152を第2の半導体基板101bに搭載する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

絶縁膜を介して半導体基板上に選択的に形成された導電性材料からなる支持部材と、この支持部材により支持されかつ前記支持部材と電気的に接続されて前記半導体基板との間に所定の空間をあけて配置され、開口領域を備えた導電性材料からなるミラー基板と、このミラー基板の開口領域の内側に配置され、前記ミラー基板に連結部を介して回動可能に連結されかつ電気的に接続された導電性材料からなるミラーと、絶縁膜を介してこのミラーの下部の前記半導体基板上に前記ミラーと離間して選択的に形成された制御電極部と、絶縁膜を介して前記ミラーの下部の前記半導体基板上に、前記ミラーと離間しかつ前記制御電極部と電気的に分離して選択的に形成されたセンサ電極部と、前記半導体基板上に前記センサ電極部と電気的に接続するように形成され、前記センサ電極部の信号に基づいて前記ミラーの回動角度を検出するセンサ回路と、前記半導体基板上に前記制御電極部と電気的に接続するように形成され、前記センサ回路で検出された前記ミラーの回動角度に基づいて前記ミラーの回動動作を制御する制御回路とを備え、前記半導体基板は、第1の基板と第2の基板との積層構造からなり、前記制御回路は、前記第1の基板に形成され、前記制御電極部に印加する制御電圧の生成に必要な第1の電源電圧で動作する第1の回路と、前記第2の基板に形成され、前記制御電圧の演算に必要な、前記第1の電源電圧より低い第2の電源電圧で動作する第2の回路とからなり、前記センサ回路は、前記第2の基板に形成され、前記回動角度の検出に必要な前記第2の電源電圧で動作することを特徴とする光スイッチ装置。

IPC (3件)：

G02B26/08 , B81B3/00 , B81B7/02

FI (3件)：

G02B26/08 E , B81B3/00 , B81B7/02

Fターム (7件)：

2H041AA14 , 2H041AA18 , 2H041AB14 , 2H041AC06 , 2H041AZ02 , 2H041AZ05 , 2H041AZ08

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