特許

J-GLOBAL ID：200903073371746253

周期構造部と周期構造部を有する半導体装置の製法

発明者： 冨谷 茂隆 ,  中野 一志
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-033819
公開番号（公開出願番号）：特開平7-245446
出願日： 1994年03月03日
公開日（公表日）： 1995年09月19日
要約：

【要約】【目的】 簡単確実に周期構造部の形成して優れた特性の回折格子、量子細線の形成、DFBレーザ、量子細線レーザ等の半導体装置を高い信頼性と安定性をもって作製する。【構成】 (001)結晶面による化合物半導体基板面上に、Zn,Mg,CdのII族元素のうちの少なくとも1種と、S,Se,TeのVI族元素のうちの少なくとも1種からなる化合物半導体をエピタキシャル成長してこのエピタキシャル成長膜表面、またはエピタキシャル成長膜中、あるいは積層エピタキシャル成長膜の界面の少なくともいづれかに、〔110〕軸方向に周期構造を発生させ、これによって周期構造部を構成する。

請求項（抜粋）：

(001)結晶面による化合物半導体基板面上に、Zn,Mg,CdのII族元素のうちの少なくとも1種と、S,Se,TeのVI族元素のうちの少なくとも1種からなる化合物半導体をエピタキシャル成長して該エピタキシャル成長膜表面、または該エピタキシャル成長膜中、あるいは積層エピタキシャル成長膜の界面の少なくともいづれかに〔110〕軸方向に周期構造を有する周期構造部を形成することを特徴とする周期構造部の製法。