半導体装置の製造方法及び半導体装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山川政樹
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2006305133
公開番号（公開出願番号）：WO2006-098369
出願日： 2006年03月15日
公開日（公表日）： 2006年09月21日
要約：

半導体基板(1)の表面に成膜されたゲート絶縁膜(2)上にシリコン膜を成膜する。このシリコン膜にガリウムをドーピングしてガリウムドープシリコン膜(10)を形成する。このガリウムドープシリコン膜の熱処理を行う。熱処理されたガリウムドープシリコン膜上にニッケル膜(12)を成膜する。窒素雰囲気中又は高真空中でシンターを行うことにより、ニッケル膜が成膜されたガリウムドープシリコン膜をニッケルシリサイド反応させてゲート電極を形成する。シリサイドゲート電極を備えたMISFETをこのような方法で製造することにより、シリサイドゲート電極の仕事関数を従来よりも大幅に変動できるようになる。その結果、低消費電力で高駆動能力を有するMISFETを低コストで製造することが可能となる。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面に成膜されたゲート絶縁膜上にシリコン膜を成膜する工程と、前記シリコン膜にガリウムをドーピングしてガリウムドープシリコン膜を形成する工程と、前記ガリウムドープシリコン膜の熱処理を行う工程と、熱処理された前記ガリウムドープシリコン膜上にニッケル膜を成膜する工程と、窒素雰囲気中及び高真空中のいずれかでシンターを行うことにより、前記ニッケル膜が成膜された前記ガリウムドープシリコン膜をニッケルシリサイド反応させてゲート電極を形成する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 29/78 , H01L 21/28 , H01L 29/423 , H01L 29/49 , H01L 21/823 , H01L 27/092

FI (4件)：

H01L29/78 301G , H01L21/28 301S , H01L29/58 G , H01L27/08 321D

Fターム (73件)：

4M104AA01 , 4M104BB20 , 4M104BB21 , 4M104BB25 , 4M104BB39 , 4M104CC05 , 4M104DD02 , 4M104DD26 , 4M104DD79 , 4M104DD84 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104HH20 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BB04 , 5F048BB08 , 5F048BB10 , 5F048BB14 , 5F048BB18 , 5F048BC06 , 5F048BE03 , 5F048BF06 , 5F048BF16 , 5F048BG12 , 5F048BG13 , 5F048DA25 , 5F048DA27 , 5F048DA30 , 5F140AA06 , 5F140AA39 , 5F140AB03 , 5F140BA01 , 5F140BD05 , 5F140BD09 , 5F140BE06 , 5F140BE07 , 5F140BF01 , 5F140BF08 , 5F140BF38 , 5F140BG08 , 5F140BG09 , 5F140BG12 , 5F140BG14 , 5F140BG20 , 5F140BG28 , 5F140BG30 , 5F140BG32 , 5F140BG34 , 5F140BG38 , 5F140BG43 , 5F140BG44 , 5F140BG45 , 5F140BG52 , 5F140BG53 , 5F140BG56 , 5F140BH14 , 5F140BH49 , 5F140BJ01 , 5F140BJ08 , 5F140BK02 , 5F140BK13 , 5F140BK21 , 5F140BK24 , 5F140BK29 , 5F140BK34 , 5F140BK38 , 5F140BK39 , 5F140CB01 , 5F140CB04 , 5F140CE07 , 5F140CF04

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