特許

J-GLOBAL ID：200903074196063772

電力供給源及び自己破壊型半導体装置

発明者： 小川 重男 ,  逸見 学 ,  町田 克之 ,  正代 尊久
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-222810
公開番号（公開出願番号）：特開2000-057285
出願日： 1998年08月06日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：

【要約】【課題】 半導体集積回路のメモリ内容への改ざん行為を確実に阻止する。【解決手段】 電力供給源6aの正極集電体兼端子板21の面上に接続リード28aを設け、正極集電体兼端子板21が集積回路と向かい合うように、電力供給源6aをICチップ12aの素子面上に搭載する。接続リード28aとICチップ12aの電極パッド10aとを接合して、正極集電体兼端子板21とICチップ12aの電気的接続を得る。電力供給源6aを覆うように被せた金属薄膜29とICチップ12aの電極パッド10bとを接合して、負極集電体兼端子板25とICチップ12aの電気的接続を得る。

請求項（抜粋）：

正極集電体と負極集電体の間に、正極、固体電解質及び負極が積層された電力供給源において、正極集電体と負極集電体の両方の面上あるいは正極集電体と負極集電体のうち面積が小さい方の集電体の面上に接続リードを設けたことを特徴とする電力供給源。

IPC (6件)：

G06K 19/07 ,  G06K 19/077 ,  G06K 19/10 ,  G11C 5/14 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (6件)：

G06K 19/00 J ,  G11C 5/14 ,  G06K 19/00 L ,  G06K 19/00 K ,  G06K 19/00 R ,  H01L 27/04 U

Fターム (21件)：

5B035AA05 ,  5B035AA07 ,  5B035AA13 ,  5B035BA05 ,  5B035CA04 ,  5B035CA08 ,  5B035CA38 ,  5F038AV15 ,  5F038BE07 ,  5F038BE09 ,  5F038BG03 ,  5F038BG07 ,  5F038CA10 ,  5F038DF04 ,  5F038DF05 ,  5F038DF10 ,  5F038DF14 ,  5F038DT12 ,  5F038EZ04 ,  5F038EZ11 ,  5F038EZ20

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平2-071345
  
• 特開平3-262697