自己破壊型半導体装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山川政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-229766
公開番号（公開出願番号）：特開2000-058760
出願日： 1998年08月14日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：

【要約】【課題】小型の電力供給源によって自己破壊機能を長期間にわたって稼動させる。【解決手段】長期間にわたり電圧変動を監視し続け、第三者による遮蔽用電力供給源の取り外しを検知したときにデータメモリの情報を消去するという自己破壊機能を、一系統の電力供給源で駆動せずに、2系統化して必要電力に余裕を持たせる回路構成とする。破壊回路2が必要とする電圧を第1の電力供給源6aから供給して、第2の電力供給源6bは電圧変化検出回路5による電圧監視のみに用いる。

請求項（抜粋）：

半導体メモリ素子とこのメモリ素子に記憶されたデータを処理する中央演算処理素子とが同一半導体基板上に形成された半導体集積回路を有する半導体装置において、自己破壊を行うための電力供給源を有すると共に、前記半導体集積回路のメモリ情報の少なくとも一部を破壊あるいは少なくとも一部の信号配線を断線させることにより自己破壊を行う破壊回路と、この破壊回路により自己破壊を行うための電荷を蓄積しておく破壊用キャパシタと、電力供給源の出力電圧を監視しその電圧低下に応じて検出信号を出力する電圧変化検出回路と、電圧変化検出回路から検出信号が出力されたとき、破壊用キャパシタと破壊回路を接続する制御回路乃至素子とを、それぞれ前記半導体基板上に有し、前記電力供給源は、破壊用キャパシタに電荷を蓄積するための第1の電力供給源と、電圧変化検出回路と接続される第2の電力供給源とからなることを特徴とする自己破壊型半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 27/04 , H01L 21/822 , G06F 12/14 320 , G11C 17/18

FI (3件)：

H01L 27/04 U , G06F 12/14 320 D , G11C 17/00 306

Fターム (16件)：

5B003AD09 , 5B017AA07 , 5B017BA08 , 5B017BB03 , 5B017CA12 , 5F038AV15 , 5F038BB05 , 5F038BE07 , 5F038BE09 , 5F038BE10 , 5F038BG03 , 5F038DF04 , 5F038DF05 , 5F038DF11 , 5F038DT12 , 5F038EZ20

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