特許

J-GLOBAL ID：200903079667292760

金属薄膜形成方法

発明者： 粟屋 信義 ,  小林 敏夫 ,  町田 克之 ,  久良木 億 ,  枚田 明彦
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-128370
公開番号（公開出願番号）：特開平10-321621
出願日： 1997年05月19日
公開日（公表日）： 1998年12月04日
要約：

【要約】【課題】 障害となるような高温処理をすることなく、マイグレーション耐性の高い金属配線が形成できるようにする。【解決手段】 SiO2 等の絶縁物で覆われた基体101の表面に、アルミニウムまたは銅からなる金属薄膜102を形成する。次いで、この基体101上に形成された金属薄膜102をアニールすることで、金属薄膜102を構成する金属の結晶粒径を大粒径化する。次に、基体101と半導体基板103とを、金属薄膜102と薄膜105とが向かい合うように貼り合わせる。そして、基体101および半導体基板103裏面より加圧しながら、それらを加熱する。この後、基体101を金属薄膜102より剥がすことで、半導体基板103上に形成した薄膜105上に、金属薄膜106が形成された状態が得られる。

請求項（抜粋）：

基体表面に金属薄膜を形成する第1の工程と、前記金属薄膜を加熱することで、その結晶粒径を大きくする第2の工程と、前記基体と前記半導体基板とを、前記金属薄膜表面と前記半導体基板表面とが向かい合うように貼り合わせ、引き続いて加熱して、前記金属薄膜を前記半導体基板上に形成する第3の工程と、前記基体を前記金属薄膜より剥離する第4の工程とを備えたことを特徴とする金属薄膜形成方法。