特許
J-GLOBAL ID：200903080452582243
自己破壊型半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-157224
公開番号（公開出願番号）：特開平11-354731
出願日： 1998年06月05日
公開日（公表日）： 1999年12月24日
要約：
【要約】【課題】 半導体集積回路のメモリ内容への改ざん行為を確実に阻止する。【解決手段】 破壊回路2により自己破壊を行うための電荷を蓄積しておく破壊用キャパシタ3を集積回路1と一体に設け、通常、これとは別体の電源供給源6aから接続端子10を介して破壊用キャパシタ3に電荷を蓄積する。集積回路1のメモリ内容を改ざんする目的で電源供給源6aを外した場合は、その接続端子間電圧の変化を電圧変化検出回路5-1〜5-nで検出し、制御回路乃至素子4aを切換動作させることにより、破壊用キャパシタ3の電荷を破壊回路2に供給し、自己破壊を行う。
請求項（抜粋）：
半導体メモリ素子とこのメモリ素子に記憶されたデータを処理する中央演算処理素子とが同一半導体基板上に形成された半導体集積回路を有する半導体装置において、正極及び負極用の接続リードをそれぞれn個ずつ備えた電力供給源を有すると共に、前記半導体集積回路のメモリ情報の少なくとも一部を破壊あるいは少なくとも一部の信号配線を断線させることにより自己破壊を行う破壊回路と、この破壊回路により自己破壊を行うための電荷を蓄積しておく破壊用キャパシタと、この破壊用キャパシタに電荷を蓄積する前記電力供給源の正極及び負極用にそれぞれn個ずつ設けられた接続端子と、正極及び負極用の接続端子対毎に設けられ、この接続端子対の端子間電圧を監視しその電圧低下に応じて検出信号を出力するn個の電圧変化検出回路と、通常動作時は前記接続端子を介して電力供給源と破壊用キャパシタを接続し、少なくとも1つの電圧変化検出回路から検出信号が出力されたときは、前記接続を遮断して破壊用キャパシタと破壊回路を接続する制御回路乃至素子とを、それぞれ前記半導体基板上に有し、前記接続端子に電力供給源を接続して配置することを特徴とする自己破壊型半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 27/10 481
, H01L 27/10 451
, H01L 27/115
H01L 27/10 481
, H01L 27/10 451
, H01L 27/10 434
