半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中村純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-149236
公開番号（公開出願番号）：特開平5-343400
出願日： 1992年06月09日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：

【要約】【構成】半導体基板(1)上に電極配線層(2a、2b)を形成する工程と、その上に絶縁膜(3)を堆積する工程と、リソグラフィ工程を用いて、幅の大きい電極配線層2a上に形成された凸状の絶縁膜(3′)上に溝を有するレジスト膜(4)を絶縁膜(3)上に形成する工程と、レジスト膜(4)をエッチングして凸状の絶縁膜(3′)の高さよりも低くし、凸状の絶縁膜(3′)の表面を露出する工程と、レジスト膜(4)と絶縁膜(3′、3)とをエッチングして絶縁膜(3)の表面を平坦にする工程と、絶縁膜(3)上に所定の膜厚までさらに絶縁膜を堆積する工程を有する方法。【効果】幅の大きい電極配線層上と幅の小さい電極配線層上の絶縁膜を共に、かつ、完全に平坦化することができる。

請求項（抜粋）：

基板上に電極配線層を形成する工程と、上記電極配線層を形成した上記基板上に絶縁膜を堆積する工程と、リソグラフィ工程を用いて、所定の幅の大きい上記電極配線層上に形成された凸状の上記絶縁膜上に、上記凸状の上記絶縁膜よりも幅の小さい溝を有するレジスト膜を上記絶縁膜上に形成する工程と、上記レジスト膜をエッチングして上記レジスト膜の高さを上記凸状の上記絶縁膜の高さよりも低くし、上記凸状の絶縁膜の表面を露出する工程と、上記レジスト膜と上記絶縁膜とをエッチングして上記絶縁膜の表面を平坦にする工程とを含んでなることを特徴とする半導体装置の製造方法。

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